HS-Code 85412900 | ESD-geschützter MOSFET-Transistor. | Zolltarifnummer EU (BTI)
Auf dieser Seite finden Sie die Entscheidungsdetails für das Produkt ESD-geschützter MOSFET-Transistor. mit der GTİP 8541.29.00 im Rahmen einer verbindlichen Zolltarifauskunft.
Klicken Sie hier für andere GTİP-Entscheidungen
| REFERENZ | DEBTI27275/24-1 |
|---|---|
| TYP | EU BTI |
| HS CODE | 8541.29.00 |
| KURZBESCHREIBUNG | ESD-geschützter MOSFET-Transistor. |
| BESCHREIBUNG | transıstor (mosfet), - mıt ıntegrıerter schutzdıode (esd-dıode) ın eınem gehäuse mıt 6 elektrıschen anschlüssen, - mıt eıner verlustleıstung (total power dıssıpatıon) von 0,2 w. "halbleıterbauelement, transıstor, anderer als fototransıstor, mıt eıner verlustleıstung von wenıger als 1 w" |
| STARTDATUM | 13.01.2025 |
| ENDDATUM | 12.01.2028 |
HS CODE 6307.90.10 | Mit Taschen versehener, elastischer Strickgürtel zur Aufbewahrung. | EU BTI
HS CODE 2004.90.98 | Gefrorene, pürierte Fertigmahlzeit. | EU BTI
Automatische Überprüfung der Zollanmeldung. |
Zählerablesung mit künstlicher Intelligenz |
|
HS-Code-Schätzung mit künstlicher Intelligenz |
Zollanmeldungs-Verfolgungssystem |
Zollstrafverfolgungssystem |
Importiertes Produktverfolgungssystem |
Rechnungsprüfungssystem |
Nachkontrollsystem
andere Einträge für 85412900
- HS CODE 8541.29.00 | Leistungsstarker SOT-223-Transistor. | EU BTI
- HS CODE 8541.29.00 | Leistungs-IGBT-Modul. | EU BTI
- HS CODE 8541.29.00 | Dualer N-Kanal-Leistungs-MOSFET. | EU BTI
- HS CODE 8541.29.00 | Geschützter Hochleistungs-MOSFET-Transistor. | EU BTI
- HS CODE 8541.29.00 | GaN ist ein leistungsstarker Halbleitertransistor. | EU BTI
- HS CODE 8541.29.00 | IGBT-Modul (Leistungstransistor). | EU BTI
- HS CODE 8541.29.00 | Hochleistungs-IGBT-Transistorchip. | EU BTI
- HS CODE 8541.29.00 | Leistungsstarker MOSFET-Transistor-Halbleiter. | EU BTI
- HS CODE 8541.29.00 | Leistungstransistor-Chip (Leiterplattenbaugruppe). | EU BTI
- HS CODE 8541.29.00 | IGBT-Leistungsmodul | EU BTI